MC应用｜如何进行光刻胶灰化、剥离和除渣？
干法光刻胶灰化、剥离和除渣，它是利用氧等离子体产生自由基氧物质，从而化学去除硅晶片上的光刻胶层。氧等离子灰化的副产品是无毒的，比湿法蚀刻工艺更环保。等离子体内的高能电子可以分解氧分子并产生活性氧原子。然后，氧自由基可以氧化光刻胶并产生高蒸气压副产物 CO、CO2 和 H2O。添加少量的 CF4 或 SF6 气体可显着提高光刻胶的蚀刻速率，因为高反应性氟原子可以提高从光刻胶聚合物中提取氢的速率。
在Tergeo-plus 等离子体系统中使用氧等离子体进行光刻胶灰化
光刻胶除渣是光刻胶图案化和显影后的一种额外温和的光刻胶蚀刻工艺。它用于去除残留在显影区域上的残留光刻胶浮渣。这种残留物会影响后面的干法或湿法蚀刻步骤，并影响整个晶片的蚀刻速率的均匀性。Descum step还可以改善光刻胶掩模的侧壁轮廓并提高工艺均匀性。
构图显影后抗残留
对于在硅或石英晶片上制造的 MEMS 器件，晶片表面的有机污染物会增加水接触角并使表面疏水。氧等离子处理可以很容易地去除有机污染物并使表面亲水。在引线键合步骤之前去除焊盘上的有机污染物也很重要。
氧等离子清洗可以去除晶圆表面的有机污染物，增加表面润湿性
在传统的直接模式等离子蚀刻中，样品表面会受到与中性自由基的化学反应和高能离子的物理轰击。对于具有薄涂层或对表面电荷、紫外线辐射或离子轰击高度敏感的设备，直接模式等离子清洗可能会对设备造成不可逆转的损坏。对于这样的设备，建议使用温和的下游模式等离子清洗。
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更好的等离子体均匀性。我们进行了广泛的研究以提高等离子发生器的均匀性。使用一些廉价等离子清洁器使用的外部电感线圈型天线很难实现均匀的射频电场。如果在等离子体室内放置金属射频电极，靠近高压射频电极的等离子体会更强，尤其是在电极边缘。Tergeo 等离子清洗机使用两个对称的外部电极设计，以实现比其他类型的等离子清洁器设计更好的等离子均匀性。
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浸没式和下游式清洗模式。 Tergeo 等离子清洗机在一个系统中集成了两个等离子源。直接等离子源用于传统的浸没式等离子清洗，例如将样品浸入等离子中。在这种处理模式下，样品与氧或氟自由基发生化学反应和物理离子溅射轰击。如果设备具有非常薄的涂层，离子溅射可能会损坏敏感涂层。如果器件对表面电荷、UV 光子非常敏感，直接模式可能会损坏敏感的 IC 器件。在这种情况下，建议进行下游式等离子清洗。在这种模式下，等离子体在单独的远程等离子体源中产生，只有中性氧和氟自由基可以扩散到样品室中并与光刻胶和有机污染物发生反应。
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先进的过程控制技术。等离子体的均匀性和强度会随着腔室压力的变化而变化。Tergeo 等离子清洗机采用先进的耐腐蚀压力传感器技术进行压力监测。此外，PIE Scientific开发了一种独特的等离子传感器技术，可以实时定量监测等离子强度。定量数据是每天获得可重复和一致结果的关键。
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全自动运行。在一些基本的等离子系统中，用户需要手动调节针阀以将气体引入等离子室。在没有任何反馈的情况下，使用手动粗针阀几乎不可能实现可重复的气体流速。Tergeo 等离子清洁器使用全自动质量流量控制器 (MFC) 来精确调节 0 到 100sccm 的气体流量，精度优于 0.2sccm。由于清洗过程的执行由嵌入式微型计算机控制，因此具有多个配方支持的全自动操作还确保了日常的可重复性能。
Tergeo-Plus与Tergeo Pro等离子清洗机