显影工艺
使曝光后的光刻胶显影是光刻工艺中最关键的步骤之一。 各种参数，如温度和显影时间，影响着关键结构的几何尺寸以及其轮廓形状。 出于这个原因，要仔细选择显影工艺及其参数。
浸置式显影技术
在此工艺中，一定量的显影剂被滴在曝光后的衬底上，并通过适度的旋转分散开。 显影液因其表面张力在晶圆上形成凸状的液面（“Puddle”）。 当显影时间结束后，通过提高旋转速度甩干晶圆上的显影液。 然后，用去离子水冲洗晶圆并同样提高转速甩干。 这种方法的优点是，只需使用少量显影液，就能提供优异的显影结果。
浸置式显影法不得用于显影液达到饱和时，例如当必须除去大量显影后的光刻胶时或者凹凸图形阻碍了更换显影液时。 在这些情况下，需多步使用浸置式显影或者使用喷涂式显影 。
我们的客户可以从中得到以下好处
化学品用量降低
喷涂式显影技术
在喷涂式显影中以较低的速度旋转待显影的衬底。 一个喷嘴不断向曝光区域喷洒新鲜的显影液，以防止显影剂饱和。 与浸置式显影相比这种方法的优势是，可用于较厚的光刻胶以及大面积显影。 用去离子水冲洗，随后甩干，完成整个显影过程。
我们的客户可以从中得到以下好处
对整个晶圆均匀显影，即使在光刻胶较厚的情况下。