- 产品详情
二氧化硅 (SiO₂) 蚀刻剂（具体价格请与客服联系）
用于热生长或沉积二氧化硅薄膜的高纯度缓冲 HF 蚀刻剂。Transene 二氧化硅蚀刻剂是要求最小化钻蚀和广泛兼容性的半导体应用的理想选择。缓冲氧化物蚀刻剂标准发货不含表面活性剂。可根据要求添加非 PFAS 表面活性剂。
热生长二氧化硅薄膜的最高蚀刻速率。
也适用于沉积的 SiO₂。
用于磷硅玻璃 (PSG) 和硼硅玻璃 (BSG) 系统的缓冲浸入式蚀刻剂。蚀刻速率根据 PSG 或 BSG 成分而变化。
对沉积二氧化硅薄膜蚀刻的最佳控制。
蚀刻硅上的沉积氧化物。
用铝饱和，以尽量减少对金属基底的侵蚀。
特性：
蚀刻速率范围广
高纯度
即用型
与光刻胶的广泛兼容性
Buffer HF Improved
在 25°C 下用 Buffer HF Improved 蚀刻 30 分钟的 1.0 微米二氧化硅薄膜。耶鲁大学提供。
氟化物 - 双氟化物 - 氢氟酸缓冲液
改进的 HF 缓冲系统，具有稳定的 HF 活性——平面钝化器件（晶体管、集成电路、二极管、整流器、SCR、MOS、FET）半导体技术中使用的 SiO₂ 选择性溶剂。
独特优势
即用型
经济高效
HF 活性缓冲稳定
优异的工艺重现性
不会钻蚀掩蔽氧化物
不会污染扩散硅表面
避免硅表面污染
光刻胶兼容性
文献引用参考
Buffer HF Improved 的应用
BUFFER HF IMPROVED 描述
BUFFER HF IMPROVED 是一种理想的缓冲制剂，具有高缓冲指数和优化、均匀的氧化物蚀刻速率。BUFFER HF IMPROVED 的成分通过 HF 活性测量和电测 pH 值进行精确控制。其质量平衡基本上对应于 HF + F⁻ + 2(HF₂⁻)（双配体单核络合物），电荷平衡为 (H⁺) – (F⁻) + (HF₂⁻)。HF 活性通过特定的平衡常数保持恒定，该常数调节氟化物、双氟化物和 HF 缓冲组分之间的平衡反应。第二个平衡常数参与调节水合氢离子浓度。
BUFFER HF IMPROVED 的生产和分析确保基本不含杂质。特别去除了硝酸根离子，这是一种会导致扩散硅表面染色的常见杂质。可能导致器件特性退化的重金属杂质，在制造工艺规范下得到严格控制。
Buffer HF Improved 的性质
如何提高蚀刻速率？
温度每升高 10°C，速率大约翻倍。
增加搅拌或搅动速率。
如何降低蚀刻速率？
添加 1 份去离子水到 2 份蚀刻剂中，蚀刻速率将降低约 50%。我需要稀释蚀刻剂吗？
不需要，它是即用型的。如何减少钻蚀？
增加搅拌或搅动速率。外观：水白色
pH 值：~4
20°C 下的蚀刻速率：800 Å/分钟 *
蚀刻容量（速率在 ~70% 时开始下降）：65 克/加仑
保质期：1 年
储存条件：室温；低于 10°C 会结晶；温热并搅拌使晶体重新溶解
过滤：0.2 微米
推荐操作温度：20-80°C（30-40°C 最常用）
清洗：去离子水；如果需要，可用酒精清洗。
光刻胶推荐：KLT6000 系列、KLT 5300 系列、HARE SQ（SU-8 型）、TRANSIST 或 PKP Type II
兼容材料选择：金、铜、镍
不兼容材料选择：玻璃、钛、氧化铝、氮化硅
兼容塑料：HDPE、PP、Teflon、PFA、PVC
原产国：美国
可用性：常备库存
可用规格：夸脱、加仑、5 加仑、55 加仑
包装：HDPE 包装，4 加仑/箱
各向同性：是
不兼容化学品：强酸
附加信息：剧毒——需极其谨慎
蚀刻速率可能因二氧化硅薄膜结构而异
BUFFER HF IMPROVED 的使用
BUFFER HF IMPROVED 溶解硅表面生成的二氧化硅薄膜（包括热生长 SiO2 和硅烷沉积 SiO2）并通过光刻暴露的部分。它也能够溶解半导体工艺中形成的掺杂二氧化硅薄膜，如磷硅玻璃和硼硅玻璃。总体化学反应为：
4HF + SiO₂ -> SiF₄ + 2H₂O
为获得无故障操作，BUFFER HF IMPROVED 被推荐用于制造半导体平面和台面器件的新技术中。它与负性和正性光刻胶均兼容。易于获得具有良好重现性的优异结果，且不会钻蚀掩蔽氧化物、造成表面染色或由金属杂质导致器件退化。
使用说明
最实用的氧化物钝化层厚度范围为 2000 Å 至 5000 Å，在室温下将 BUFFER HF IMPROVED 暴露 2 至 5 分钟可获得良好效果。如有必要，可以缩短或延长暴露时间。BUFFER HF IMPROVED 应使用去离子水冲洗干净。BUFFER HF IMPROVED 的高缓冲指数允许在固定暴露时间下重复使用缓冲液。为了获得更快的蚀刻速率（约 2 倍），请在 35°C 下使用 BUFFER HF IMPROVED。
缓冲氧化物蚀刻剂
高纯度氟化铵和氢氟酸的标准混合物，比例有标准和定制可选。
BD Etchant (用于 PSG-SiO₂ 系统)
一种改进的缓冲蚀刻配方，用于在晶体管表面钝化中蚀刻磷硅玻璃-SiO₂ (PSG) 和硼硅玻璃-SiO₂ (BSG) 系统。BD Etchant 具有较低的 PSG/SiO₂ 蚀刻比，可最大程度地减少 PSG 钝化膜的钻蚀。
应用： 用作浸入式蚀刻剂，从接触孔中去除 SiO₂ 薄膜，而不扰动 PSG 薄膜。BD Etchant 用于硅晶体管晶圆的接触孔金属化之前，随后进行水和酒精清洗。
如何提高蚀刻速率？
温度每升高 10°C，速率大约翻倍。
增加搅拌或搅动速率。
如何降低蚀刻速率？
添加 1 份去离子水到 2 份蚀刻剂中，蚀刻速率将降低约 50%。我需要稀释蚀刻剂吗？
不需要，它是即用型的。如何减少钻蚀？
增加搅拌或搅动速率。外观：水白色
pH 值：弱碱性
蚀刻速率：25°C 1.22 Å/秒；30°C 1.72 Å/秒
蚀刻容量（速率在 ~70% 时开始下降）：60 克/加仑
保质期：1 年
储存条件：常温
过滤：0.2 微米
推荐操作温度：20-80°C（30-40°C 最常用）
清洗：去离子水；如果需要，可用酒精清洗。
兼容材料选择：金、铜、镍
不兼容材料选择：氧化硅、氮化硅、氧化铝
兼容塑料：HDPE、PP、Teflon、PFA、PVC
原产国：美国
可用性：常备库存
可用规格：夸脱、加仑、5 加仑、55 加仑
包装：HDPE 包装，4 加仑/箱
各向同性：是
不兼容化学品：—
附加信息：—
Timetch (用于二氧化硅薄膜的受控蚀刻剂)
TIMETCH 是一种特殊配制的蚀刻剂溶液，在二氧化硅蚀刻过程中提供优异的控制，且无钻蚀。TIMETCH 与负性和正性光刻胶兼容。
TIMETCH 用于去除二氧化硅以及控制 MOS 器件的氧化层厚度。该产品也推荐用于二极管和晶体管器件在金属化之前去除表面氧化物。
对于沉积氧化物，室温下去除氧化物的速率为 1.5 Å/秒。对于热氧化物，速率稍慢。蚀刻过程之后用蒸馏去离子水冲洗。Timetch 与铜兼容。
TRANSENE TIMETCH 蚀刻剂的性质
如何提高蚀刻速率？
温度每升高 10°C，速率大约翻倍。
增加搅拌或搅动速率。
如何降低蚀刻速率？
添加 1 份去离子水到 2 份蚀刻剂中，蚀刻速率将降低约 50%。我需要稀释蚀刻剂吗？
不需要，它是即用型的。如何减少钻蚀？
增加搅拌或搅动速率。外观：水白色
pH 值：弱碱性
25°C 下的蚀刻速率：1.5 Å/秒
蚀刻容量（速率在 ~70% 时开始下降）：60 克/加仑
保质期：1 年
储存条件：常温
过滤：0.2 微米
推荐操作温度：20-80°C（30-40°C 最常用）
清洗：去离子水；如果需要，可用酒精清洗。
兼容材料选择：金、铜、镍
不兼容材料选择：氧化硅、氮化硅、氧化铝
兼容塑料：HDPE、PP、Teflon、PFA、PVC
原产国：美国
可用性：常备库存
可用规格：夸脱、加仑、5 加仑、55 加仑
包装：HDPE 包装，4 加仑/箱
各向同性：是
不兼容化学品：—
附加信息：—
Silox Vapox III
该蚀刻剂设计用于蚀刻硅表面上的沉积氧化物。这些氧化物通常在 vapox silox 或其他 LPCVD 设备中生长，在许多重要方面与其热生长氧化物截然不同。一方面是它们的蚀刻速率，另一方面是它们的工艺用途。沉积氧化物常被用作金属化硅基底上的钝化层。Silox Vapox Etchant III 旨在优化蚀刻用作铝金属化硅基底钝化层的沉积氧化物。该蚀刻剂已用铝饱和，以尽量减少其对金属化基底的侵蚀。
沉积氧化物 (Vapox/Silox) 蚀刻速率：4000 Å / 分钟 @ 22 °C
该产品包含：
氟化铵
冰醋酸
铝腐蚀抑制剂
表面活性剂
去离子水
TRANSENE SILOX VAPOX III 的性质
如何提高蚀刻速率？
温度每升高 10°C，速率大约翻倍。
增加搅拌或搅动速率。
如何降低蚀刻速率？
添加 1 份去离子水到 2 份蚀刻剂中，蚀刻速率将降低约 50%。我需要稀释蚀刻剂吗？
不需要，它是即用型的。如何减少钻蚀？
增加搅拌或搅动速率。外观：透明，无色
pH 值：酸性
22°C 下的蚀刻速率：4,000 Å/分钟
蚀刻容量（速率在 ~70% 时开始下降）：65 克/加仑
保质期：1 年
储存条件：常温
过滤：1 微米
推荐操作温度：20-80°C（30-40°C 最常用）
清洗：去离子水
光刻胶推荐：KLT6000 系列、KLT 5300 系列、HARE SQ（SU-8 型）、TRANSIST 或 PKP II
兼容材料选择：Au, Cr, Ni, Cu
不兼容材料选择：氧化物、氮化物、氧化铝、Ti
兼容塑料：HDPE、PP、Teflon、PFA、PVC
原产国：美国
可用性：1-2 天
可用规格：夸脱、加仑、5 加仑、55 加仑
包装：HDPE 包装，4 加仑/箱
各向同性：是
不兼容化学品：强碱
附加信息：—
AlPAD Etch 639
I. AlPAD Etch 639 是一种氧化物蚀刻剂，旨在最大限度地减少对铝焊盘或其他铝结构以及硅表面的侵蚀。这些氧化物通常在 vapox silox 或其他 LPCVD 设备中生长。沉积氧化物通常用作金属化硅基底上的钝化层。AlPAD Etch 639 的配方包含表面活性剂，以确保在高表面能基底上的润湿覆盖。
II. 沉积氧化物 (Vapox/Silox) 蚀刻速率：5000 Å / 分钟 @ 22°C
III. 该产品包含：
氟化铵
冰醋酸
乙二醇
表面活性剂
去离子水