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产品亮点
l 自粘附特性：无需额外底涂剂（Primer），直接适用于硅、蓝宝石等多种基材，简化工艺流程，降低成本。
l 高兼容性：专为气密性硬质印章（如石英、玻璃、OrmoStamp®）优化，确保图案转移的高保真度。
l 快速光固化：在320–420 nm 紫外光下高效固化，氧气干扰极低，适合工业化量产环境。
l 精准膜厚控制：提供100 nm、200 nm、300 nm 三种标准厚度，支持定制稀释（推荐稀释剂 mr-T 1078）。
为什么选择mr-NIL200？
✅ 卓越的刻蚀掩模性能：纯有机配方，无硅残留，与反应离子刻蚀（RIE）工艺完美匹配，实现高分辨率图案转移。
✅ 工艺灵活性：适配主流纳米压印设备（如 EV Group、SUSS MicroTec），支持低压力（<100 mbar）压印，减少缺陷风险。
✅ 即用型配方：开瓶即用，旋涂后 60°C 预烘 3 分钟 即可进入压印步骤，大幅提升生产效率。
典型应用场景
l 半导体器件：纳米线、光子晶体结构的批量制造。
l 光学元件：AR/VR 衍射光栅、微透镜阵列的图案化。
l 生物传感器：高精度微流控芯片的快速prototyping。
技术参数速览
特性 | mr-NIL200-100nm | mr-NIL200-200nm | mr-NIL200-300nm |
膜厚（nm） | 100 ± 15 | 200 ± 20 | 300 ± 25 |
动态粘度（mPa·s） | 1.3 ± 0.2 | 1.4 ± 0.2 | 1.6 ± 0.2 |
折射率（589 nm） | 1.435 | 1.438 | 1.441 |
使用须知
l 存储条件：需冷藏保存（4°C），使用前恢复至室温，避免冷凝污染。
l 安全环保：无卤素溶剂，废弃按有机溶剂处理，符合环保标准。
l 后处理：残余层可通过O₂ 等离子体 或 热硫酸（Piranha） 彻底去除。