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产品核心优势
l 卓越光学性能：折射率 1.49–1.50（589 nm），透光率 >95%，专为 光子器件、AR/VR 光学元件 设计。
l 高热稳定性：玻璃化转变温度（T<sub>g</sub>）达 80°C，压印后保持优异化学稳定性，适合永久性光学应用。
l 宽膜厚选择：提供 300 nm 至 5 μm 标准厚度，可定制 20 μm 超厚膜层，满足多样化需求。
l 工业兼容性：适配 EV Group、SUSS MicroTec 等主流热压印设备，支持 硅/石英/镍印章（需防粘层 F<sub>13</sub>-TCS）。
为什么选择 mr-I T85？
✅ 光学应用首选：
l 基于 环烯烃共聚物（COC） 材料，低双折射、高透光，完美适配微透镜、衍射光栅等光学纳米结构制造。
l 压印后可直接作为 永久性光学元件，无需额外转移工艺。
✅ 高效量产工艺：
l 一步法压印：130–150°C、5–15 bar 条件下 1–4 分钟 完成图案成型，脱模温度仅需 60–75°C。
l 无需湿法剥离：残余层通过 O₂ 等离子体 高效去除，简化后处理流程。
✅ 即用型配方：
l 旋涂后 140°C 预烘 2 分钟 即可压印，溶剂残留极低，膜厚均匀性优异。
技术参数速览
特性 | mr-I T85-0.3 | mr-I T85-1.0 | mr-I T85-5.0 |
膜厚 | 300 ± 20 nm | 1000 ± 50 nm | 5000 ± 100 nm |
折射率（589 nm） | 1.491 ± 0.002 | 1.493 ± 0.002 | 1.497 ± 0.002 |
密度（25°C） | 0.871 ± 0.005 g/cm³ | 0.879 ± 0.005 g/cm³ | 0.891 ± 0.005 g/cm³ |
典型应用场景
光学元件：微透镜阵列、抗反射涂层、波导结构。
显示技术：OLED 光提取层、量子点图案化。
高端封装：MEMS 器件永久性封装层。
纳米压印胶 mr-I T85 系列的具体工艺流程
1. 基材准备（Substrate Preparation）
清洁处理：使用 异丙醇（2-propanol） 清洗基材（如硅、石英、玻璃等），并在 200°C 热板 上脱水 5 分钟，或进行 O₂ 等离子体活化。
可选步骤：若需增强附着力，可涂覆底涂剂（如 mr-APS1）。
2. 旋涂成膜（Spin Coating）
参数设置：
转速：3000 rpm
时间：30 秒
加速度：1000 rpm/s
膜厚选择：
mr-I T85-0.3：300 ± 20 nm
mr-I T85-1.0：1000 ± 50 nm
mr-I T85-5.0：5000 ± 100 nm（可定制至 20 µm）
3. 预烘烤（Prebake）
条件：140°C 热板，烘烤 2 分钟，去除残留溶剂。
4. 纳米压印（Nanoimprinting）
压印参数：
温度：130–150°C（需高于玻璃化转变温度 *T_g = 80°C*）
压力：5–15 bar
时间：1–4 分钟
印章选择：
硬质印章（Si/SiO₂/Ni）：需涂覆防粘层 F13-TCS。
聚合物印章（如 OrmoStamp®）：需避免高温变形。
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5. 脱模（Stamp Release）
温度控制：冷却至 60–75°C（低于 T_g）后脱模，减少图案变形风险。
6. 后处理（Post-Processing）
残余层去除：通过 O₂ 等离子体刻蚀（RIE） 打开基底窗口。
图案应用：
刻蚀掩模：用于半导体或光学器件的图案转移。
永久结构：直接作为光学元件（如微透镜、光栅）使用。
7. 去除/剥离（Removal）
等离子法：氧等离子体可完全去除残留胶层。
湿化学法：不可用（需联系厂商获取特殊方案）。
使用须知
l 存储条件：15–25°C 避光保存，保质期 12 个月（无需冷藏）。
l 安全环保：无卤素配方，废弃按 非卤溶剂 处理。
l 注意事项：避免高温（>80°C）长期暴露，以防材料软化。