纳米压印胶 mr-NIL 6000E 系列

***

选择供货期、型号规格

产品详情

纳米压印胶 mr-NIL 6000E 系列——热塑性光固化纳米压印技术的革新解决方案

开创性的热塑性光固化技术

mr-NIL 6000E 是 micro resist technology 公司研发的全球首款结合热塑性与光固化特性的纳米压印胶，彻底改变了传统纳米压印工艺的局限。其独特的低温加工性能（玻璃化转变温度仅1°C）与紫外光固化能力的完美结合，为高精度图案转移提供了前所未有的灵活性。这一创新技术使得在65-70°C低温环境下即可实现完美压印，同时通过3500 mJ/cm²紫外曝光完成最终固化，大幅降低了能耗和设备要求。

五大核心竞争优势

1. 低温高效加工
突破性的1°C玻璃化转变温度，使压印温度较传统材料降低50%以上，显著减少热应力导致的基板变形，特别适合对温度敏感的柔性基材。

2. 双模式固化机制
热塑性阶段确保优异的流动性（5-15 bar低压即可完成填充），紫外固化后形成永久性交联网络，硬度提升300%，完美满足后续RIE刻蚀要求。

3. 超广厚度范围
标准提供100/200/300 nm三种规格，支持定制化调整至6微米超厚膜层，覆盖从纳米光栅到微米级三维结构的全尺度需求。

4. 卓越的工艺兼容性

l 适配所有主流压印设备（EV Group/SUSS MicroTec等）

l 兼容石英/镍硬质印章（需F13-TCS防粘层）及OrmoStamp®聚合物印章

l 开放体系旋涂（3000 rpm/30s）配合90°C/1分钟预烘烤，工艺窗口宽泛

5. 工业级可靠性
12个月室温储存稳定性，无需冷藏；氧等离子体可100%去除残留层，良品率提升至99.8%。

革命性的应用场景突破

l 柔性电子制造：在PI/PET基板上实现50nm线宽的低温图案化，突破传统高温工艺限制

l 三维光子晶体：6微米厚膜层支持多层堆叠，为AR/VR超表面透镜量产铺路

l 生物芯片批量化：低温特性完美保持蛋白质活性，实现微流道与生物传感器的集成制造

l 第三代半导体：对碳化硅/氮化镓等难刻蚀基材展现出优异的图案保真度

技术参数全景展示

关键指标	mr-NIL6000.1E	mr-NIL6000.2E	mr-NIL6000.3E
动态粘度(mPa·s)	1.3±0.3	1.7±0.3	2.1±0.3
折射率(589nm)	1.518	1.521	1.523
密度(g/cm³)	1.003	1.014	1.023
固化收缩率	<0.5%	<0.5%	<0.5%