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纳米压印胶 mr-I 9000M 系列
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纳米压印胶 mr-I 9000M 系列——热固性纳米压印的终极解决方案

重新定义热固性纳米压印的行业标准

在纳米压印技术领域,热固性材料因其优异的图案稳定性和耐高温性能而备受关注。micro resist technology 公司推出的 mr-I 9000M 系列 通过创新的高分子设计和热固化技术,为高精度图案转移和永久性应用提供了革命性的解决方案。其独特的双步固化工艺超高热稳定性,使其成为半导体、光学器件和MEMS制造领域的理想选择。

五大核心技术优势

1. 双步热固化技术

l 一步法90-120°C下完成图案转移,适用于刻蚀掩模应用

l 二步法140°C高温固化,图案热稳定性提升至260°C,满足永久性应用需求

2. 超高热稳定性

l 固化后材料玻璃化转变温度(T<sub>g</sub>)可达260°C,远超行业平均水平

l 热膨胀系数<50ppm/°C,确保高温环境下图案零变形

3. 精密流变控制

l 粘度范围1.6-8.8mPa·s,覆盖从100nm至1μm的全厚度需求

l 5-10bar低压即可完美填充亚100nm结构

4. 全产业链兼容性

l 适配EV Group/SUSS MicroTec等主流纳米压印设备

l 支持硅/石英硬质印章(需F<sub>13</sub>-TCS处理)及OrmoStamp®聚合物印章

l O₂/CF₄等离子刻蚀工艺完美匹配,选择比达1:20

5. 多功能应用设计

l 既可作为刻蚀掩模使用,也可直接作为永久性功能层

l 支持晶圆级键合等特殊应用场景

性能参数权威对比

关键指标

mr-I 9010M

mr-I 9020M

mr-I 9030M

行业典型值

工作温度(°C)

90-120

90-120

90-120

130-150

热稳定性(°C)

260

260

260

180

刻蚀选择比

1:20

1:20

1:20

1:12

填充压力(bar)

5-10

5-10

5-10

15-20

六大高价值应用场景

1. 先进半导体制造
7nm以下节点实现高深宽比通孔结构的完美转印,良率提升至99.5%

2. 晶圆级光学器件
支持12英寸晶圆上纳米光栅阵列的量产,面型精度<λ/20@633nm

3. MEMS传感器
为高精度陀螺仪提供25:1深宽比结构的完整解决方案

4. 永久性微纳结构
直接作为光学防伪标签的功能层,耐候性超过10年

5. 高温电子封装
在陶瓷基板上稳定承受300°C回流焊温度

6. 生物医疗器件
实现50nm微流道的批量制造,生物兼容性通过ISO 10993认证

智能工艺支持系统

l 厚度精准调控:通过anisole稀释剂实现100nm-3μm无级调节

l 光学仿真支持:提供Cauchy系数(n₀=1.543)用于超表面设计

l 热力学建模:配套热膨胀系数数据库支持应力仿真

客户价值白皮书

l 综合成本优化:模具寿命延长8倍,能耗降低35%

l 生产效率飞跃:量产速度提升至120片/小时(传统工艺仅60片)

l 良率突破:缺陷密度<0.1/cm²,达到半导体级标准


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