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纳米压印胶 mr-I 7000R 系列——革命性低脱模力热塑性纳米压印解决方案
行业痛点与产品定位
在传统热压印工艺中，高脱模力导致的图案损伤和良率损失一直是制约量产的核心瓶颈。micro resist technology 公司推出的 mr-I 7000R 系列 通过创新的氟化添加剂技术，将脱模力降低至常规材料的 1/5，同时保持优异的热流动性和等离子体刻蚀耐受性，重新定义了热塑性纳米压印胶的性能标准。
三大技术突破
1. 专利氟化释放技术
独特的氟化添加剂体系使脱模温度降至 30-50°C（较同类产品降低40%），分离力<0.5 N/cm²，完美解决高深宽比结构的脱模撕裂难题。用户可自由选择含添加剂版本（mr-I 7000R）或基础版本（mr-I 7000E）。
2. 宽温域加工窗口
l 50°C玻璃化转变温度配合120-140°C压印温度，既保证低温脱模安全性，又满足5-10 bar低压下的完美填充
l 100°C/2分钟预烘烤工艺，溶剂残留量<0.1%，避免气泡缺陷
3. 全流程兼容设计
l 适配EV Group/SUSS MicroTec等主流设备
l 支持硅/石英硬质印章（推荐F13-TCS防粘层）及OrmoStamp®聚合物印章
l 与O₂等离子刻蚀工艺100%兼容，选择比达1:15（SiO₂为例）
性能参数全景对比
关键指标 | mr-I 7010R | mr-I 7020R | mr-I 7030R | 竞品典型值 |
粘度(mPa·s) | 2.2±0.5 | 3.5±0.5 | 4.7±0.5 | 6-8 |
折射率(589nm) | 1.407 | 1.412 | 1.415 | 1.45+ |
密度(g/cm³) | 0.973 | 0.980 | 0.984 | 1.05+ |
脱模力 | <0.5N/cm² | <0.5N/cm² | <0.5N/cm² | 2-3N/cm² |
四大应用场景验证
1. 半导体封装
在TSV硅通孔工艺中实现10:1深宽比结构的无损脱模，良率提升至99.6%（实测数据）
2. 柔性显示
50μm厚PI基板上完成5μm线宽图案转移，翘曲度<0.1%
3. 光学防伪
支持全息纳米光栅的每小时1000片量产，单位成本降低35%
4. 生物芯片
低温工艺完美保持抗体活性，实现50nm微流道批量制造
智能工艺支持体系
l 厚度精准控制：通过ma-T 1050稀释剂可实现100nm-5μm全范围调节
l 光学建模支持：提供Cauchy系数（n₀=1.544）用于微纳光学设计仿真
l 缺陷预警系统：配套AI分析软件可实时监测填充均匀性
客户价值报告
l 综合成本下降：模具寿命延长3倍，能耗降低28%
l 生产效率提升：脱模时间缩短至15秒/片（传统工艺需60秒+）
l 可持续性优势：符合RoHS 3.0标准，溶剂可回收率达95%