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纳米压印胶 mr-I 8000R 系列——高温精密图案化的终极解决方案
重新定义高温纳米压印的行业标准
在高温纳米压印领域，传统材料始终面临脱模力大、热稳定性不足的挑战。micro resist technology 公司推出的 mr-I 8000R 系列 通过创新的高分子设计和氟化添加剂技术，在保持115°C高玻璃化转变温度的同时，将脱模力控制在 0.8N/cm²以下，为高温精密图案化树立了全新标杆。
四大核心技术突破
1. 高温低脱模力技术
专利氟化添加剂体系使180°C高温压印下的脱模温度仍可保持在85-105°C，脱模力较传统材料降低60%，完美解决高精度模具保护难题。
2. 宽幅热稳定性窗口
l 115°C玻璃化转变温度配合150-180°C工作温度，热膨胀系数<50ppm/°C
l 90°C/1分钟预烘烤工艺，溶剂残留量<0.05%，杜绝热气泡缺陷
3. 超精密流变控制
l 5-15bar低压即可完成亚100nm结构填充
l 粘度梯度设计（2.3-4.8mPa·s）满足从平面到三维结构的全场景需求
4. 全产业链兼容性
l 适配EV Group/SUSS MicroTec全系列高温压印设备
l 支持硅/石英硬质印章（需F13-TCS处理）及OrmoStamp®聚合物印章
l 与O₂/CF₄等离子刻蚀工艺完美匹配，选择比达1:18（SiN为例）
性能参数权威对比
关键指标 | mr-I 8010R | mr-I 8020R | mr-I 8030R | 行业平均值 |
工作温度(°C) | 150-180 | 150-180 | 150-180 | 200-220 |
脱模力(N/cm²) | 0.75 | 0.78 | 0.82 | 2.5+ |
刻蚀选择比 | 1:18 | 1:18 | 1:18 | 1:10 |
热膨胀系数 | 45ppm/°C | 45ppm/°C | 45ppm/°C | 80+ppm/°C |
五大高价值应用场景
1. 第三代半导体
在SiC功率器件制造中实现0.5μm深槽结构的高保真转印，良率提升至99.3%
2. 晶圆级光学
支持8英寸晶圆上3μm微透镜阵列的批量生产，面型精度<λ/10@633nm
3. MEMS传感器
为高g值加速度计提供20:1深宽比结构的完整解决方案
4. 超表面制造
实现100nm特征尺寸的可见光超构表面量产，批次一致性达±2%
5. 高温柔性电子
在聚酰亚胺基板上稳定承受200°C后道工艺温度
智能工艺支持系统
l 厚度精准调控：通过ma-T 1050稀释剂实现100nm-3μm无级调节
l 光学仿真支持：提供Cauchy系数（n₀=1.547）用于超表面设计
l 热力学建模：配套热膨胀系数数据库支持应力仿真
客户价值白皮书
l 综合成本优化：模具寿命延长5倍，能耗降低40%
l 生产效率飞跃：生产节拍提升至90片/小时（传统工艺仅50片）
l 可持续性突破：符合RoHS 3.0标准，溶剂回收率>97%