微纳制造的革命性选择：ma-N 2400系列负性光刻胶

在当今快速发展的微纳电子和半导体行业中，高精度、高可靠性的光刻工艺是制造先进器件的核心。Microresist Technology公司推出的ma-N 2400系列负性光刻胶，以其卓越的性能和广泛的适用性，成为科研和工业界微纳加工的首选材料。无论是电子束光刻还是深紫外（DUV）光刻，ma-N 2400系列都能提供优异的图形分辨率和工艺稳定性，满足从基础研究到量产的多层次需求。

产品概述

ma-N 2400系列是一款专为微纳电子和半导体应用设计的负性光刻胶，具有电子束和深紫外双重敏感性。该系列包含多种粘度型号（ma-N 2401、ma-N 2403、ma-N 2405和ma-N 2410），覆盖从0.1微米到1.0微米的薄膜厚度范围，为用户提供灵活的选择。其高分辨率、优异的抗蚀刻性能和热稳定性，使其成为复杂微纳结构制造的理想材料。

核心优势

1. 卓越的分辨率与图形保真度

ma-N 2400系列光刻胶能够实现亚微米甚至纳米级别的图形分辨率。如图5和图6所示，该光刻胶在电子束曝光下可轻松实现50纳米的线宽和80纳米的点阵结构。对于深紫外曝光（266 nm），其同样表现出色，能够实现200纳米周期的图形（图10）和94纳米的关键尺寸（图11）。这种高分辨率能力使其在纳米电子、光子学和MEMS等领域具有广泛的应用潜力。

2. 优异的抗蚀刻性能

ma-N 2400系列光刻胶不仅作为光刻图形化材料，还能作为高效的蚀刻掩模。其高干法和湿法蚀刻抗性，确保了在后续工艺中的图形完整性。图9展示了该光刻胶在CF₄反应离子蚀刻（RIE）中的优异表现，图形转移后仍能保持高保真度。无论是硅、二氧化硅还是金属层蚀刻，ma-N 2400都能提供可靠的保护。

3. 广泛的工艺兼容性

ma-N 2400系列光刻胶兼容多种基板（如硅、二氧化硅和含铝基板）和工艺条件。其推荐的显影液（如ma-D 525和ma-D 332）和去胶剂（如mr-Rem 700）进一步简化了工艺流程。此外，光刻胶的折射率数据（图2）和Cauchy系数为光学厚度测量提供了便利，支持椭偏仪等设备的快速集成。

4. 高产量与稳定性

该光刻胶在标准环境条件（20–25°C，40–46%湿度）下表现出优异的工艺稳定性，确保批次间的一致性。其长达9个月的保质期（显影液12个月）和“安全溶剂”配方，不仅降低了存储成本，还提升了使用安全性。对于需要高深宽比结构的应用，ma-N 2410型号可支持1.9微米的厚膜光刻（图7），满足特殊工艺需求。

典型应用场景

1. 纳米电子器件制造

ma-N 2400系列的高分辨率和抗蚀刻性能，使其成为纳米线、量子点和单电子晶体管等器件的理想选择。图6中的80纳米点阵和图8中的棋盘图案展示了其在复杂纳米结构制造中的潜力。

2. 光子学与光栅制作

深紫外曝光下的高分辨率（图10和图11）使ma-N 2400成为制作光栅、波导和光子晶体的首选材料。其优异的图形转移能力可大幅提升器件的光学性能。

3. MEMS与传感器

高深宽比结构（图7）和热稳定性使该光刻胶适用于MEMS加速度计、压力传感器和微流控芯片的制造。其抗蚀刻性能还能简化多步工艺的流程。

4. 科研与原型开发

无论是大学实验室还是工业研发中心，ma-N 2400系列的灵活性和可靠性都能加速原型开发周期。其兼容多种曝光设备（如电子束和深紫外）的特点，为用户提供了更多实验自由度。

工艺支持与客户服务

Microresist Technology为ma-N 2400系列提供全面的工艺支持，包括：

l 详细的工艺指南：从基板预处理（等离子清洗、烘烤）到旋涂、曝光、显影和去胶，每一步都有明确参数（如90°C预烘烤、20–25°C显影温度）。

l 定制化解决方案：针对特殊基板（如含铝基板）或高分辨率需求，推荐专用显影液（如Developer浓缩液）和工艺优化建议。

l 全球技术支持：位于德国柏林的技术团队可提供实时咨询和故障排查服务，确保用户获得最佳工艺效果。

环保与安全

ma-N 2400系列采用“安全溶剂”配方，符合环保要求。其废弃物可分类处理（未曝光光刻胶作为无卤溶剂，曝光后光刻胶作为旧光刻胶处理）。用户只需佩戴基本防护装备（手套、护目镜）并在通风环境下操作，即可确保安全。

迈向微纳制造的未来，与ma-N 2400同行！