微电子与微系统技术的完美伙伴：ma-N 1400系列负性光刻胶

在微电子和微系统技术领域，高性能光刻胶是实现精密图形转移的关键材料。Microresist Technology公司推出的ma-N 1400系列负性光刻胶，凭借其卓越的抗蚀刻性能、优异的电镀稳定性和灵活的应用场景，成为科研与工业界信赖的选择。无论是物理气相沉积（PVD）、剥离工艺（lift-off），还是复杂的图形转移需求，ma-N 1400系列都能提供可靠的解决方案。

产品概述

ma-N 1400系列是一款专为微电子和微系统技术设计的负性光刻胶，适用于从基础研究到工业量产的多种场景。该系列包含多种型号（ma-N 1405、ma-N 1407、ma-N 1410、ma-N 1420和ma-N 1440），覆盖0.5微米至4.0微米的薄膜厚度范围，满足不同工艺需求。其高抗蚀刻性、优异的电镀稳定性和热稳定性，使其成为复杂微纳结构制造的理想材料。

核心优势

1. 卓越的抗蚀刻性能与图形保真度

ma-N 1400系列光刻胶在干法和湿法蚀刻中均表现出极高的抗性，能够作为高效的蚀刻掩模。其高分辨率能力可支持复杂图形的精确转移，确保后续工艺中的图形完整性。无论是硅、二氧化硅还是金属基板，ma-N 1400都能提供可靠的保护。

2. 优异的电镀稳定性

该光刻胶在酸性和碱性电镀液中均表现出卓越的稳定性，非常适合用于电镀工艺。其高耐化学性确保了在电镀过程中图形结构的完整性，避免了因溶液侵蚀导致的图形变形或失效。

3. 灵活的工艺兼容性

ma-N 1400系列兼容多种基板（如硅、金、氮化硅和砷化镓）和曝光方式（宽带、i-line和UV-LED）。其推荐的显影液（如ma-D 533/S）和去胶剂（如mr-Rem 700）进一步简化了工艺流程。此外，光刻胶的折射率数据（图2）和Cauchy系数为光学厚度测量提供了便利，支持椭偏仪等设备的快速集成。

4. 优化的剥离工艺（Lift-Off）

对于金属层的剥离工艺，ma-N 1400系列能够轻松实现所需的底切（undercut）结构。通过调整曝光剂量和显影时间，用户可以灵活控制底切程度（如表4所示），确保金属沉积后的干净剥离。图4和图5展示了其在UV-LED曝光下的优异表现。

5. 高产量与稳定性

该光刻胶在标准环境条件（20–25°C，40–46%湿度）下表现出优异的工艺稳定性，确保批次间的一致性。其长达12个月的保质期和“安全溶剂”配方，不仅降低了存储成本，还提升了使用安全性。

典型应用场景

1. 金属图形化与剥离工艺

ma-N 1400系列是物理气相沉积（PVD）和剥离工艺的理想选择。其高抗热性和优化的底切结构，可确保银、金、铜等金属层的精确图形化和干净剥离。

2. 微电子器件制造

该光刻胶的高分辨率和抗蚀刻性能，使其成为晶体管、传感器和互连结构制造的理想材料。其优异的电镀稳定性还支持高精度金属化工艺。

3. MEMS与微系统技术

无论是加速度计、压力传感器还是微流控芯片，ma-N 1400系列的厚膜型号（如ma-N 1440）都能满足高深宽比结构的需求。

4. 科研与原型开发

大学实验室和工业研发中心均可借助ma-N 1400系列的灵活性和可靠性，加速原型开发周期。其兼容多种基板和曝光方式的特点，为用户提供了更多实验自由度。

工艺支持与客户服务

Microresist Technology为ma-N 1400系列提供全面的工艺支持，包括：

l 详细的工艺指南：从基板预处理（等离子清洗、烘烤）到旋涂、曝光、显影和去胶，每一步都有明确参数（如100–120°C预烘烤、20–25°C显影温度）。

l 定制化解决方案：针对特殊基板（如金或氮化镓）或高分辨率需求，推荐专用工艺参数和优化建议。

l 全球技术支持：位于德国柏林的技术团队可提供实时咨询和故障排查服务，确保用户获得最佳工艺效果。

环保与安全

ma-N 1400系列采用“安全溶剂”配方，符合环保要求。其废弃物可分类处理（未曝光光刻胶作为无卤溶剂，曝光后光刻胶作为旧光刻胶处理）。用户只需佩戴基本防护装备（手套、护目镜）并在通风环境下操作，即可确保安全。

结语

ma-N 1400系列负性光刻胶以其高抗蚀刻性、电镀稳定性和灵活的工艺兼容性，成为微电子和微系统技术领域的标杆产品。无论是金属图形化、电镀工艺还是复杂微纳结构制造，它都能提供可靠的解决方案。选择ma-N 1400，意味着选择效率、精度和稳定性。

迈向微纳制造的未来，与ma-N 1400同行！