RIE反应离子刻蚀机
反应离子刻蚀系统
RIE，全称是Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀，是一种微电子干法腐蚀工艺。
RIE是干法蚀刻的一种方式，其原理是当在平板电极之间施加10～100MHZ的高频电压（RF，radio frequency）时会产生数百微米厚的离子层（ion sheath），在其中放入试样，离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻，此即为RIE（Reactive Ion Etching）。因此为了得到高速而垂直的蚀刻面，经加速的多数离子不能与其他气体分子等碰撞，而直接向试样撞击。为达到此目的，对真空度，气体流量，离子加速电压等进行调整，同时，为得到高密度的等离子体，需用磁控管施加磁场，以提高加工能力。
较典型的等离子处理工艺包括：
▪ 等离子预处理
▪ 光刻胶去胶
▪ 表面处理
▪ 各向异性和各向同性蚀刻
▪ 故障分析应用
▪ 材料改性
▪ 封装清洗
▪ 钝化层刻蚀
▪ 聚酰胺刻蚀
▪ 促进粘合
▪ 生物医学应用
▪ 聚合反应
▪ 混合清洗
▪ 预键合清洗
基本系统
PlasmaSTAR®通用基本系统包括必需的阀门、真空泵浦、射频电源、射频匹配器、工艺气体控制和系统控制。这些配置组合提供了一套全自动化等离子处理系统。通用基本系统可容纳不同的腔室和电极模块，这些模块可轻松放入其中。该系统可快速从一款普通的圆柱形等离子体处理系统转换为一款用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极系统或是带支架的混合等离子清洗系统。
腔室/电极
PlasmaSTAR®模块化腔室和电极组件是该系统的独特功能。 腔室材料是硬质阳极氧化铝。 有几种不同的电极设计，包括用于反应离子刻蚀（RIE）和平面处理的水冷平板电极，用于表面清洗或处理的交替托盘电极，用于最小化离子损伤的下游电极，和用于普通的圆柱形等离子体处理的笼式电极。
等离子体源
该系统可选配LF（KHz）或13.56（MHz）射频电源以及自动匹配网络。
真空泵浦系统
该系统配机械泵或带罗茨鼓风机的机械泵。根据所需的真空处理水平，可提供不同尺寸大小的真空泵。真空泵配有腐蚀性泵油（惰性泵油），适用于氧气或其他腐蚀性化学应用。流量控制器（MFC）的气体管路是标配。下游压力控制器是选配。
电脑控制
触摸屏电脑控制，提供无线程序存储。多步骤工艺简单易存。实时显示工艺条件。 该控制系统易于编程。 工艺处理可用条形码读取（选配）。
规格
PlasmaSTAR® 100的尺寸：800（宽）x 850（深）x 525（高）mm；重量：约150 Kg。
PlasmaSTAR® 200的尺寸：1,033（宽）x 850（深）x 635（高）mm；重量：约220 Kg。
